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    并購、建廠,歐洲雙雄ST,NXP強攻射頻前端領域
    據報道,意法半導體日前宣布,將收購總部位于法國Marly-le-Roy的SOMOS Semiconductor(“ SOMOS”。據意法半導體方面介紹,這是一家成立于2018年的無晶圓廠半導體公司,專門研究基于硅的功率放大器和RF前端模塊(FEM)產品。



    意法半導體方面指出,通過此次收購,公司能夠引入物聯網和5G市場的專業人員、前端模塊的IP和路線圖。公司第一個產品-NB-IoT / CAT-M1模塊-已通過認證,并將成為連接RF FEM產品新路線圖的開始,此外,SOMOS的技術和資產還將支持意法半導體現有的5G基礎設施RF前端模塊路線圖的開發。
    從SOMOS的官網我們可以看到,該公司能提供業界領先的RF功率放大器,RF前端和RF開關產品,并為4G和5G IoT和智能手機應用提供設計。SOMOS指出,利用其獨特的IP和專業知識來實施和交付具有前所未有性能的CMOS功率放大器,具有極低諧波的開關以及業界最小尺寸的RF前端。他們向客戶提供最先進的組件和IP,并提供定制設計服務。

    無獨有偶,在ST推進射頻產品線的同時,NXP也在加緊他們在這個領域的布局。

    恩智浦啟用全新6吋氮化鎵晶圓




    半導體大廠恩智浦(NXP Semiconductors)宣布正式啟用位于美國亞利桑那州錢德勒(Chandler)的6吋射頻氮化鎵(GaN)晶圓廠,此為美國境內專注于5G射頻功率放大器的最先進晶圓廠,現已通過認證,首批產品將持續推出上市,預計至2020年底達到產能滿載。
    恩智浦透過全新6吋晶圓廠以及其在功率密度、增益和線性化效率方面的20年氮化鎵(GaN)開發專業知識,引領5G蜂巢基礎建設的擴展,恩智浦預期,該最先進的晶圓廠將成為樞紐,將與同地點的研發團隊緊密合作,加速推動創新,且有助于支援5G基站和先進通訊基礎設施在工業、航空航太和國防市場的擴展。
    恩智浦半導體總裁暨執行長Kurt Sievers在主題演講中表示,今日象征著恩智浦的重要里程碑。透過在亞利桑那州建立此先進廠房與吸引關鍵人才,讓我們能夠更聚焦于發展氮化鎵技術,將其作為推動下一代5G基站基礎建設的一部分。
    隨著5G的發展,射頻解決方案中每個天線所需的功率密度呈指數級增長,但仍需保持相同的主機殼尺寸,并降低功耗。氮化鎵功率電晶體已成為滿足這些嚴格要求的新黃金標準,能夠大幅提高功率密度和效率。
    恩智浦擁有近20年的氮化鎵開發專業知識和廣泛的無線通訊產業知識,將使其引領下一波5G蜂巢擴展浪潮。恩智浦已針對氮化鎵技術進行深度最佳化,改善半導體中的電子陷阱(electron trapping)問題,藉由一流的線性度提供高效率和增益,致力為恩智浦的客戶生產最高品質的氮化鎵裝置。
    恩智浦長期客戶愛立信(Ericsson)網路開發部主管Joakim Sorelius表示,在功率放大器在無線電技術中發揮重要的作用,與愛立信近期在美投資類似,很高興看到恩智浦在半導體制程開發方面進行投資,并將繼續致力為未來的高要求無線電網路提升射頻系統效能。
    恩智浦半導體執行副總裁暨無線電功率業務部總經理Paul Hart表示,恩智浦團隊向來致力于建造世界上最先進的射頻氮化鎵晶圓廠,該晶圓廠的能力可擴展至6G甚至更高。

    前景遠大的射頻生意




    ST和NXP之所以一直在加強在RFFE方面的布局,這與這個市場巨大的商機有關。根據Yole Développement(Yole公司)預測,從 2020 年至 2025 年間,射頻前端將以保持11%的 CAGR增長,截至 2025 年市場規模將達到 254 億美元。而其中五家主要公司:村田制作所、思佳訊、博通、Qorvo 和高通占據了市場業務總量的近 80%。由此可以看到ST和NXP的發力背后的誘因。

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